佳能：目标最快今年开始交付低成本纳米压印光刻设备

28 日消息，据英国金融时报报道，负责监督新型光刻机开发的佳能高管武石洋明 1 月 27 日接受采访称，采用纳米压印技术的佳能光刻设备 FPA-1200NZ2C 目标今年或明年出货。

佳能 2023 年 10 月公布 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻（NIL）半导体设备。佳能社长御手洗富士夫表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。

佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的 2D 或 3D 电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产 2nm 芯片。

IT之家去年 11 月报道，御手洗富士夫表示：“NIL 产品的价格比 ASML 的 EUV 少 1 位数”。

佳能与日本印刷综合企业大日本印刷株式会社（Dai Nippon Printing Co.）以及存储芯片制造商铠侠控股（Kioxia Holdings Corp.）合作研究纳米压印技术已有近十年的时间。

与通过反射光工作的极紫外光刻技术不同，佳能研究的纳米压印技术是将电路图案直接印在晶圆上，从而制造出据称几何形状与最先进节点相当的芯片，但速度要慢得多。

这种新设备有望让芯片制造商降低对芯片代工厂的依赖，同时也让台积电和三星电子等芯片代工厂更有可能批量生产芯片。佳能表示，这种机器所需功率只有 EUV 同类产品的十分之一。